Nitrogen Depth Profiling in Ultrathin Silicon Oxynitride Films with High-Resolution Rutherford Backscattering Spectroscopy
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Nitrogen depth profiles in ultrathin silicon oxynitride films (2.5–8 nm) are measured by high-resolution Rutherford backscattering spectroscopy (HRBS). In order to reduce the large background due to the substrate silicon, HRBS spectra are measured under [111] channeling conditions. It is demonstrated that the HRBS/channeling technique provides the absolute concentration values and a depth resolution of sub-nm can be achieved. The nitrogen profiles are also measured by secondary ion mass spectroscopy (SIMS) and Auger electron spectroscopy (AES). The AES result roughly agrees with the HRBS result, while the SIMS result underestimates the nitrogen concentration.
- 2000-07-30
論文 | ランダム
- HP-R構造諸ジョイント部の設計法-1-はり型のないプレキャスト壁板を用いた壁体構造の挙動
- H形鋼を用いたSRC部材の力学的性状に関する実験研究 : 構造
- フラスタム型スプライススリーブ鉄筋継手工法を用いたRC柱の挙動に関する実験研究 : (その4) Uタイプスリーブ鉄筋継手を用いたRC柱の実験結果
- フラスタム型スプライススリーブ鉄筋継手工法を用いたRC柱の挙動に関する実験研究 : (その3) Yタイプスリーブ鉄筋継手を用いたRC柱の実験結果
- フラスタム型スプライススリーブ鉄筋継手工法を用いたRC柱の挙動に関する実験研究 : (その2) スプライススリーブ継手単体の試験結果