TSVベースの3次元化が半導体の基盤技術に (TSVが本流となる条件--3次元積層技術の普及シナリオ) -- (TSVの普及シナリオ コスト削減が普及のカギ,目指すは50米ドル/ウエーハ)
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概要
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TSV（Si貫通ビア）を使った3次元積層技術は，半導体の一般的な製造技術として使われるようになると考えている。現在の応用先のほとんどはCMOSイメージ・センサーだが，2010年から市場規模の大きなメモリーにも広がっていくと予測している（図7）。 われわれは，2008〜2015年におけるTSV加工ウエーハの平均年間成長率が，50％以上に達すると見ている注6）。
論文 | ランダム
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