ICNS プロジェクターや自動車まで,視野に入ったGaNデバイス
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概要
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窒化物半導体に関する世界最大級の国際学会「7th International Conference of Nitride Semiconductors（ICNS-7）」が，2007年9月16〜21日に米国で開催された。GaN系半導体を使う次世代のLEDや半導体レーザ，無線基地局向けパワー・アンプ回路で用いる高周波素子，将来の白物家電や自動車などの電源回路に向けたスイッチング素子に関する発表が一堂に会した。
- 2007-10-22
論文 | ランダム
- 27pPSB-29 Spin-Peierls物質TiOBrにおける非整合相の役割(27pPSB 領域3ポスターセッション(酸化物磁性,スピングラス・ランダム・アモルファス系,量子スピン系(一次元系,二次元系),量子スピン系(クラスターおよび一般),フラストレーション系,実験技術開発,磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19aXH-1 新しいスピンパイエルス物質TiOBrの整合・非整合相転移(量子スピン系(一次元),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aYP-12 放射光X線を用いたTiOBrの格子歪みの観測II(量子スピン系(一次元),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 14pWG-3 放射光 X 線を用いた T_iOBr の格子歪みの観測(量子スピン系 : 一次元及び二次元, 領域 3)
- TbFeCo垂直磁化膜の磁気異方性エネルギーと軌道角運動量の相関