スピン注入磁化反転 MRAMは「究極の高速メモリ」へ 電子をぶつけて磁化を反転 (特集 研究開発 物理に還る)
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概要
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SRAM並みの高速性に，フラッシュ・メモリと同様な不揮発性，そして書き換え回数は無制限——こうした特性を持つ「究極のメモリ」につながる成果を，2005年12月にソニーが発表した。不揮発性を持つ8Kビットのメモリ・セル・アレイを試作，書き込み時間2nsを実現した。今後集積度を高めることができれば，設計ルール45nm以下でSRAMや混載DRAMを代替できる不揮発性メモリへ進化しそうだ。
- 2006-01-02
論文 | ランダム
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