GaN(0001)清浄表面作製技術構築への取り組み
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概要
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我々は、窒化ガリウム(GaN)の清浄化手法の確立を目的とし、プロセス前後の系統的な構造の変化を原子レベルで計測評価をしている。市販の鏡面研磨GaN基板表面の結晶性や組成を崩さずに清浄表面を作製するのに、HF 溶液でのエッチング後に超高真空中で加熱処理する方法が最適であることが分かってきている。また、Photo Luminescence測定により、表面清浄化の有無、結晶性の違いに依存して光学特性に変化が生じることも明らかになってきた。
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