プラズマ援用研磨法の開発（第7報）:酸化面のセリア砥粒研磨によるtwo-bilayerのステップ/テラス構造を形成するメカニズムの考察
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概要
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4H-SiCの酸化面に対して砥粒研磨を行った結果、均一なtwo-bilayerのステップ/テラス構造を形成することに成功した。これのメカニズムを解明するために，Cubic面におけるSi原子とHexagonal面におけるSi原子の酸化レートの違いに関して考察を行った． Cubic面のステップは酸化レートが遅くて、酸化を律速する．これは研磨後の表面にtwo-bilayerが形成された原因と推測した．また、酸化膜/SiCの界面を高分解能断面TEMで観察した結果，two-bilayerが形成されている様子を確認した．
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