SOI基板を用いた簡単なプロセスで形成したシリコンマイクロフォン
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概要
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今回、SOI基板を用いて非常に簡単なプロセスで微細シリコンマイクロフォンを作成したので報告する。このシリコンコンデンサーマイクロフォンはSOI基板を用い1枚のフォトマスクによって試作した。このマイクロフォンの直径は２ｍｍで、１０－２０μｍのダイアフラム、SiO2絶縁スペーサ（4μｍの厚い埋め込み酸化膜 ）、および微細な（６０μｍ）六角形のアコースティックホールを網状構造にもつ厚い４５０μｍのバックプレートで構成される。ダイアフラムとバックプレートの間の間隙は４μｍで、それはSOIウェハの埋め込み酸化膜の厚みによって決定させる。 これまでの研究結果では出力電圧がとても小さく、ノイズが大きいなどの問題点からマイクとして使用するには難しいことがわかった。これをふまえ、今回はダイアフラム厚を20 [μm]から10 [μm]に薄膜化することによって、より大きく振動させることで出力電圧を向上させた。
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公益社団法人 精密工学会 | 論文
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