ＰＺＴ薄膜を用いたCMOS用エネルギーハーベスターの製作と評価
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概要
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本研究では、ゾル－ゲル法によって作製したPZT薄膜を利用して、エネルギーハーベスターを製作した。この素子はPZTダイヤフラムを音波によって振動させ、発電させる素子である。PZT薄膜は強誘電体メモリーでも用いられたことがあり、CMOSプロセスと適合性があると考えられる。発表ではPZTを用いたエネルギーハーベスタの製作と精密測定を行った結果を報告する。
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公益社団法人 精密工学会 | 論文
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