異なるトレンチ深さのULSIセル内に蓄積する転位の結晶塑性解析
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概要
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LSI素子の微細化・高集積化に伴う転位の発生に関し，本研究では，ゲート長が62nmの浅溝分離型ULSIセルのトレンチ深さの寸法が異なるいくつかの解析モデルを作成し，結晶塑性解析の手法を用いて，冷却過程でデバイス内に発生する転位の蓄積シミュレ―ションを行った． 蓄積転位密度分布とトレンチ深さについて検討を行う．
- 日本学術会議 「機械工学委員会・土木工学・建築学委員会合同IUTAM分科会」の論文
日本学術会議 「機械工学委員会・土木工学・建築学委員会合同IUTAM分科会」 | 論文
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