液晶欠陥対消滅過程における分子配向場と速度場の関係
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概要
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等方相から液晶相へと冷却した時液晶物質中に分子配向場の欠陥構造が発生することがよく知られています．異なる種類の欠陥が互いに近づく時欠陥構造は消滅します．この欠陥対消滅過程では，液晶物質中に流動が誘起されます．本研究では，一対の欠陥が誘起する液晶流動の数値シミュレーションを行いました．数値シミュレーションではMarrucci-Grecoポテンシャルを適用した土井理論を用い，配向確率密度関数を球面調和関数で近似しました．シミュレーション結果から，欠陥消滅過程において4つの渦状の流動が誘起されることが分かりました．また，流速は欠陥対消滅直後に最大となりました．
- 日本学術会議 「機械工学委員会・土木工学・建築学委員会合同IUTAM分科会」の論文
日本学術会議 「機械工学委員会・土木工学・建築学委員会合同IUTAM分科会」 | 論文
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