液晶欠陥対消滅が誘起する流れの数値シミュレーション
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概要
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Marrucci-Grecoポテンシャルを適用した土井理論を用いて、液晶欠陥対消滅が誘起する流れの数値シミュレーションを行った．計算量を減らす目的で、配向確率密度関数を球面調和関数によって近似した．異なる分子配向状態を持つ欠陥は互いに引き付けあい，最終的に消滅することが知られている．この欠陥対消滅過程において，分子配向方向の回転のために液晶流動が生じる．数値計算の結果から，誘起された速度は2つの欠陥が近づくにつれ大きくなることを明らかにした．
- 日本学術会議 「機械工学委員会・土木工学・建築学委員会合同IUTAM分科会」の論文
日本学術会議 「機械工学委員会・土木工学・建築学委員会合同IUTAM分科会」 | 論文
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