潜像核個数線密度を用いた高エネルギー荷電粒子の飛跡のエネルギー付与の測定
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概要
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原子核写真乾板を用いた高エネルギー荷電粒子のエネルギー付与の新しい測定方法として,潜像核の個数線密度(LDLIS)を提案した.これは金沈着現像と透過型電子顕微鏡の超薄切片観察技術を用いてなされた.前者によりコンパクトな球形の金微粒子が個々の潜像核上に形成され,後者により金微粒子からなる飛跡がその形状を保ったまま観察された.単位長さ当たりの現像銀粒子個数であるグレインデンシティ(GD)は,エネルギー付与の高い領域では飽和するが,LDLISはこの領域でもまだ飽和せず,測定可能領域をGD測定の4倍にまで拡大した.またこの方法は短寿命粒子の短い飛跡でも,エネルギー付与のより精密な測定を可能とする.
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