ZnO ナノワイヤ／GaN ヘテロ LED の作製と発光特性評価

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概要

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• Vertically aligned ZnO nanowires were directly grown on a Mg-doped GaN substrate by nanoparticle-assisted pulsed laser deposition (NAPLD) without a catalyst. The photo luminescence of the ZnO nanowires at room temperature shows visible emission, which may be attributed to the point defects in the ZnO. A ZnO nanowire/GaN heterojunction LED was fabricated by preparing an insulating film of SOG (spin-on-glass) and electrodes. Electroluminescence at a wavelength of 500 to 900 nm was observed at room temperature under forward bias.

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