レーザー超音波による精密音速測定と半導体プロセスの温度計測への応用

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概要

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• A non-contact and precise longitudinal velocity measurement technique, for temperature measurement in semiconductor processing, was developed using a combination of 100 MHz narrow-band laser ultrasound and a pulse-echo-overlap technique. A diffraction correction method for laser ultrasound, based on a Gaussian weighted circular source — a point detection model, was also developed to enhance the accuracy of echo period measurements. It was shown that the longitudinal velocity in 10mm thick single crystal silicon can be measured with a resolution of better than 0.01% . It was also shown that the temperature of a 0.6mm thick silicon wafer can be evaluated with a resolution higher than 2<SUP>o</SUP>C at 500<SUP>o</SUP>C and 1000<SUP>o</SUP>C.

• 一般社団法人 日本非破壊検査協会の論文

一般社団法人 日本非破壊検査協会 | 論文

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