The Electrical Conductivity and the Hall Effect of Lead Selenide, Semiconductors
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概要
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Lead Selenide, containing selenium 4% excess as impurity, is P-type Semiconductor at low Temperature and is N-type at high temperature. The mobility of electron holes with a latlice and impurity scattering was shown as1/μh=0.4T-3/2+3.5×10-7·T3/2+5.8×10-3·(e800/T-1)-1.The ratio of electrons mobility μe to electron hole's mobility μh was obtained as a constant value 1.55.The temperature dependency of conductivity σ and Hall constant R were shown considerably agree with the experimental values by the quantitative calculations.
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物性研究刊行会 | 論文
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