On the Conduction Phenomena in Impurity Bands in Semi-Conductors
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概要
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We studied the anomalous fshaviors of electrical resistance and Hall effect of semi-conductors at low temperature, using the excited impurity band model. Under the assumption of the existence of excited impurity bands, we investigated the electrical properties of semi-conductors and compared the results with experimental data. It is shown that the agreement between them is fairly well, and that Fritzsche's data on Ga-doped Ge can be interpreted, assuming at least two non-overlapping excited bands.
- 物性研究刊行会の論文
物性研究刊行会 | 論文
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