高強度反応焼結炭化ケイ素の微構造評価
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概要
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A newly developed high-strength reaction-sintered silicon carbide (SiC), which has two or three times higher strength than the normal sintered SiC, is one of the most promising candidates such as the lightweight substrate of optical mirror, because of fully dense, small sintering shrinkage (±1%), good shape capability and low sintering temperature. In this paper, in order to improve the performance of newly developed reaction-sintered SiC, the microstructure was investigated by paying attention to the crystal structures and the interface of each crystals using the observation of transmission electron microscope and X-ray diffraction analysis. As a result, it made clear that the finer-scale microstructure could be observed as consisting of large particles (∼1μm in diameter) of starting powder α–SiC and small particles (<1μm in diameter) of β–SiC formed during the reaction (Si+C→SiC) with the residual silicon filling the remaining porosity. Also, it was identified that the β–SiC formed during the reaction referred to the cubic (3C) polytype and the α–SiC of starting powder referred to the hexagonal (6H) polytype.
- 日本材料学会の論文
著者
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伊藤 義康
(株)東芝
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伊藤 義康
(株)東芝電力・産業システム技術開発センター
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伊藤 義康
(株)東芝 電力システム社 電力・社会システム技術開発センター
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須山 章子
(株)東芝 電力システム社 電力・社会システム技術開発センター高機能・絶縁材料開発部
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