10半導体

概要

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半導体の分析といっても,単体半導体の場合と化合物半導体の場合とでは,その立場がまるきり違う.前者ではppmあるいはppbの単位で含有される不純物元素の定量が問題になるのに対し,後者では主成分元素の含有量を0.1%の相対誤差で定量することが要求される.文献も前者に関するものはすでに多数発表されているが,後者に関するものは最近あらわれはじめた程度である.それで以下には1960年までのSi,Ge中の不純物の分析方法に関する文献を方法別に整理してみたが,大部分はすでにこの進歩総説で,対象別分類では非鉄金属の項目に,また方法別分類では後述の各種の方法の項目にそれぞれ紹介されている.<BR>半導体中の不純物の含有量は,分析関係ではppmあるいはppbの単位であらわされるが,物性関係では単位体積中の不純物元素の原子数であらわされる場合が少なくない.この換算は,次式によって行なう.<BR>ppb=10<SUP>9</SUP>×(単位体積中の不純物元素の原子数)×(不純物元素の原子量)/(アボガドロ数)×(母体元素の密度)