化学気相析出法によるNi/SiO<SUB>2</SUB>触媒調製時のNiOの担体への沈着
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概要
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化学気相析出法 (CVD) により調製したNiO/SiO<SUB>2</SUB>粒子は数十nmのNiOとsiO<SUB>2</SUB>の凝集体と考えられる.この粒子の生成環境は自由分子領域にあり, NiO, SiO<SUB>2</SUB>蒸気の過飽和度Sは反応温度, 反応管内の位置により異なるが最大10<SUP>20</SUP>のオーダーである.そして, 核化速度はきわめて速い.そこで, 粒子生成過程はブラウン凝集過程であるとし解析し, 反応管軸方向温度補正を加えると, 粒子径<I>d</I>と滞留時間τとの間には, <BR><I>d</I>=ατ<SUP>2/5</SUP><BR>の関係が得られた.<BR>さらに, 単一のNiO粒子成長系から得た付着係数はNiO/SiO<SUB>2</SUB>系中から求めた値と比較して, 明らかに単一粒子系の付着係数が大きく, その割合はNiOの含有量にほぼ一致した.以上のことから, NiO/SiO<SUB>2</SUB>系のNiO粒子の成長はSiO<SUB>2</SUB>粒子により抑制されるが, SiO<SUB>2</SUB> matrix中へのNiO粒子の均一分散には有利であることが明らかとなった.
- 社団法人 化学工学会の論文
著者
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矢野 元威
大阪市立大学工学部応用化学科
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西川 貴志
大阪市立大学工学部応用化学科
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原納 淑郎
大阪市立大学工学部 応用化学科
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大田 浩史
花王 (株)
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西川 貴志
大阪市立大学工学部 応用化学教室
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原納 淑郎
大阪市立大学工学部 応用化学教室
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原納 淑郎
大阪市立大学 応用化学科
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