Si-Sn合金薄膜の低温酸化

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概要

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• The thermal-oxidation rate of amorphous Si<SUB>1-<I>x</I></SUB>Sn<SUB><I>x</I></SUB> alloy films was found to be remarkably large at lower temperatures (_??_400°C). The rate in the oxygen atmosphere (760 Torr) was estimated to be more than 20 Å/min at 350°C for the film with <I>x</I>0.38. Chemical analysis of the resulting oxide has revealed that the oxidation of tin atoms increases dramatically above 200°C and the oxidation of silicon atoms is enhanced with increase of tin content in the films. The oxidation mechanism seems to be related both to melting of Sn in films and to segregation of Si which results from the formation of polycrystalline β-Sn.

• 日本真空協会の論文

著者

• 大坂 之雄

  広島大学工学部

• 福本 博文

  広島大学工学部

• 井村 健

  広島大学工学部

• 明連 広昭

  広島大学工学部

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