Drain current response delay of FD-SOI MOSFETs in RF operation

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概要

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• We investigated the frequency dependences of Y22 of FD-SOI MOSFETs, in which the drain current response delay is observed for the first time. Short channel FD-SOI devices operating in linear region show significant drain current response delay. It is confirmed that FD-SOI MOSFETs RF behavior can be well reproduced with the proposed model including the drain current response delay.

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