High-temperature oxidation behavior of chemical vapor deposited silicon carbide
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概要
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- 日本セラミックス協会の論文
- 2002-00-00
日本セラミックス協会 | 論文
- 3H16 メソポーラスシリカをアルミナ多孔質体に充填した複合体による気体透過
- 3H15 有機テンプレート剤 (DTAB) を用いたメソポーラスシリカの合成
- 3F16 Li-Mn-Ni 系酸化物の合成と電気化学的特性
- 1I25 焼成雰囲気を制御したカルシウムコバルト系酸化物の作製
- 1G13 球状メソポーラスシリカの合成