分子線エピタキシ-によるZnSe--Al薄膜の成長

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概要

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• ZnSe thin films with Al doping, were gtown on Ge(111) substrates by the molecular beam epitaxial method. At room temperature, the photoluminescence spectra of ZnSe thin film contained two main peaks. One is blue complex photoluminescences composed of a strong broad PL emission (~460nm) in the range of near-band-gap and of two strong broad ones (~420nm and ~440nm) in a range shorter than its near-band-gap. The other one is a green PL emission (~532nm). It was proved that at lower Al-cell temperatures the intensity of blue PL emission (~440nm) increased suddenly owing to an increase in Al atoms which substituted for Zn atom sites and acted as donors. At higher Al-cell temperatures, excess incorporation of Al resulted in a decrease in blue PL emission and a remarkable increase in the green PL emission.

• 鹿児島大学,カゴシマ ダイガク,Kagoshima Universityの論文

著者

• 肥後 悟

  元鹿児島大学機器分析センター

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