Multiple-valued content-addressable memory using metal-ferroelectric-semiconductor FETs
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概要
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科研費報告書収録論文(課題番号:09558027・基盤研究(B)(2)・H9~H12/研究代表者:羽生, 貴弘/1トランジスタセル多値連想メモリの試作とその応用)
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