Nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (1(1)over-bar00) with reduced stacking fault density realized by persistent layer-by-layer growth
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Nonpolar AlN layers were grown on 4H-SiC (1[overline 1]00) substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy. By using SiC substrates with well-formed step-and-terrace structures, stable layer-by-layer growth of 4H-AlN (1[overline 1]00) can be realized. The layer-by-layer growth is confirmed by observations of anisotropic two-dimensional AlN islands on the grown surface as well as persistent reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations. Cross-sectional transmission electron microscopy observations reveal that stacking fault generation during growth is suppressed and the stacking fault density is reduced to 1×106 cm−1.
- 2008-08-25
論文 | ランダム
- 魅力ある小学校教育の展開 総則の趣旨にもとづく魅力ある教育計画の立案 (特集 新教育課程のねらいの実現に向けて--魅力ある教育計画の立案(1))
- 教育課程一般 (特集 小学校における移行期の展望と実践課題)
- 教育課程改善の基本的方向 (特集 教育課程改善の方向)
- 学校における環境教育について (特集 環境教育の改善・充実)
- 確かな学力の育成について (特集 今,改めて「確かな学力」を考える)