Kinetic study of velocity distributions in nanoscale semiconductor devices under room-temperature operation
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Quasiballistic electron transport in nanoscale semiconductor structures is investigated to clarify the importance of scatterings under room-temperature operation as reflected in the velocity distribution functions. The analyses are carried out for n+-n-n+ structures based on the semiclassical Boltzmann transport equation (BTE). It is shown that the number of electrons with negative velocity grows exponetially due to scatterings around the top of the electronic potential barrier in the channel region and, thus, the scatterings cannot be neglected even in nanoscale device structures. This is closely related to the mathematical structure of the BTE whose solution exhibits the boundary-layer structure.
論文 | ランダム
- 閣僚の靖国神社参拝問題懇談会の報告書について (靖国神社公式参拝--政教分離のゆくえは!!) -- (私はこう考える)
- 《論説》新しい英語教育観と自己教育の指導 (特集 学び方を身に付け,自己教育力を高める教科の指導(保健体育,技術・家庭,外国語))
- 自然や歴史的・文化的遺産の保護とナショナル・トラストの課題 (環境保護と公共信託--日本のナショナル・トラストを考える)
- 田中先生の立法に対する寄与 (田中二郎先生と行政法)
- (26) 奈良県下のダリアより分離された tobacco streak virus (昭和60年度地域部会講演要旨(関西部会))