Photoresponse properties of Al/n-beta-FeSi2 Schottky diodes using beta-FeSi2 single crystals
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We have clearly observed photoresponse properties in an Al/n-beta-FeSi2 structure using beta-FeSi2 single crystals grown by chemical vapor transport. A photocurrent is observed for photons with energies greater than 0.68 eV. It increases sharply with increasing photon energy and attains a maximum at approximately 0.95 eV (1.31 µm). The photocurrent originated from the photoexcited electrons in the Al and the band-to-band photoexcited carriers in the beta-FeSi2 located under the Al contact. The photoresponsivity increased upon high-temperature annealing, reaching 58 mA/W at 0.95 eV after annealing at 800 °C for 8 h.
論文 | ランダム
- 子どもの遊び能力と学級の仲間関係
- 子どもの遊び能力と学校生活(I) : その位置付けと役割(III-2部会 子どもの生活と指導)
- 『生活保育』の内容論的検討
- 108 就学前教育における遊び指導論の比較研究(VIII) : 保育者のイデオロギーと保育指導法(その3)
- 部分放電識別手法と有害レベルの定量化の検討(その2) : 絶縁物内部欠陥の劣化進展とPDパターンの関係