完全格子整合した磁気トンネル接合の巨大トンネル磁気抵抗効果 : スピネルMgAl_2O_4系トンネルバリアの現状(ヘッド・スピントロニクス,一般)

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概要

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強磁性層/トンネルバリア/強磁性層構造を有する強磁性トンネル接合(MTJ)は、不揮発性磁気メモリ素子やハードディスクドライブのヘッドセンサーの基本動作を担っている。本研究ではMTJの新しいバリア層材料として結晶質のMgAl_2O_4(スピネル)が有望であることを報告する。MgAl_2O_4バリアを用いることで接合界面に欠陥を含まない完全格子整合した界面が実現され、室温トンネル磁気抵抗比(TMR)比の増大効果を示すことや、TMR比のバイアス電圧依存性の向上が可能であることを示す。さらに,MgAl_2O_4のもつスピネル構造の陽イオン位置を不規則化させることでTMR比が飛躍的に増大することを明らかにし,室温300%以上の巨大なTMR比を達成した。
2013-10-17

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