1p-A2-6 Si(110)表面の再配列構造の解析(1p A2 表面・界面,量子エレクトロニクス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1985-03-31
著者
関連論文
- 30a-D-2 角度分解型ELSによる Si の内殻・表面準位間遷移
- 27a-C-5 荷電金属超微粒子の安定性と表面変形
- 4p-S-5 超微粒子の集団モード
- 4a-E-9 へき開Si(111)表面2×1構造のELSの解析
- 4a-RJ-11 Si表面での遷移金属の熱処理による挙動
- 13a-Y-5 Si表面再配列構造転移に伴う表面プラズモンのシフト
- 28a-K-11液状微粒子の振動数スペクトル
- 30p-H-9 微粒子超伝導と格子振動数スペクトル
- 30a-M-10 微粒子の格子振動数スペクトル
- 5p-NF-1 金属微粒子の格子振動と比熱
- 2a-NR-12 金属微粒子のデバイ温度
- 29p-U-12 表面格子緩和の温度依存性
- 2a-Q-3 アインシュタイン模型による表面の格子緩和
- 1a GR-11 希ガス元素超微粒子の液滴模型
- 5a-BL-4 超微粒子の殻模型
- 29p-PS-23 角度分解型電子分光法によるTaC(100)面上の単原子層グラファイトの観察
- 14p-H-1 Cylindrical Magnetic LensによるEnergy Selecting Microscope
- 2p-B-8 C^+ビームで作製した非晶質炭素膜のELSによる解析
- 5a-B-8 H/Si(110)表面での水素の昇温脱離過程のSTM観察
- 29a-PS-34 Cu/Siにおける表面偏析、吸着構造、ドメインのSTM、SEMおよびμ-LEEDによる解析
- 29a-PS-6 Si(110)上の水素吸着構造と熱脱離によるドメイン構造の変化
- Si(111)Cu-"5×5"構造とドメイン方向の解析
- Si(100)水素吸着系におけるSingle domainからDouble domainへの相変化
- 3p-K-12 Cu/Si(110)表面構造のSTM観察
- 3a-J-10 Cu/Si(100)における表面偏析と表面構造のSTMによる解析
- 30a-PS-11 Si(001)微斜面のステップの挙動
- 30a-PS-6 Cu/Si(100)における表面再配列構造のSTM観察
- 31p-S-7 Bが偏析したSi(111)表面での金属成長過程のSTM観察
- 29a-J-6 Si(111)上のBの表面偏析過程のSTM観察
- 4a-Q-9 Si-B吸着系のSTM観察
- 2p-PSA-35 Si(001)微斜面上での多原子層ステップ
- 30p-H-1 Si(001)上のPb薄膜のSEM、STMによる観察
- 1a-BF-1 表面波共鳴条件下でのRHEED菊池像のコントラスト
- 9a-Z-8 RHEEDの菊池バンドの異常コントラスト(II)
- 6p-L-7 RHEEDによる菊池像の温度変化II
- 28a-ZF-8 LaB_6(100)の表面フォノン
- 29p-BPS-47 NiA1(111)の表面フォノン
- 1a-H-6 Si(100)におけるPb蒸着系のSEM-LEEDによる観察
- 30p-BPS-6 金属(Ni、Pt) の単原子層グラファイト薄膜およびその成長過程のSTMによる観察
- 27p-E-8 STMによるSi(100)上の金属(Pt、Pd)吸着系の研究
- 27p-R-12 STMによる遷移金属上の単原子層グラファイトの観察
- 25p-PS-50 Si(100)上のPt吸着系のSTMによる観察
- 5a-PS-13 STMによる遷移金属炭化物上の上の単原子層グラファイトの観察
- 3p-RJ-9 イオン後方散乱法によるSi(111),Si(110)構造相転移の研究
- 12a-Y-9 イオンチャンネリング/後方散乱法によるSi(110)面上のNiの挙動
- 29a-H-12 トンネル電子の磁場による集束
- コバルト蒸着薄膜 II : 表面物理, 薄膜
- 29a-T-2 Cu/Si{(100), (110), (111)}の急冷による表面偏析と表面構造
- 3a-Q-12 Cu/Si(100)の質量分析器、微斜面によるシングルドメインでの解析
- 31p-WC-1 Cu/Si(100)の質量分析器, LEED-AESによる研究
- 15a-DH-1 LEED-AESによるSi(100)-Ti吸着系の研究
- 3a-K-2 強磁性蒸着薄膜 II
- 11p-P-3 電子線のエネルギー分析
- 9a-G-3 強磁性蒸着薄膜
- 27a-E-3 LaB_6(100)の表面フォノン
- 24a-PS-1 EELS装置の試作
- 29a-L-8 FE-LEM-SEM (電界放射低速走査電子顕微鏡) によるSi表面の観察
- 6a-H-9 RHEEDによる菊池像の温度変化
- 6a-H-8 RHEEDによるGaAsの菊池バンドの異常
- 4a-A-3 高速電子線エネルギー分析における磁界型と静電型の特性の比較
- 13p-K-4 電子線エネルギー損失スペクトルの微分波形
- 6a-KE-9 表面レゾナンス條件での鏡面反射強度の温度依存性(RHEED)
- 6a-KE-8 RHEEDにおける菊地像の異常コントラスト II
- 24a-N-1 菊池線のコントラスト反転 その(2)
- 3a-B-7 エネルギー選別型電子回折像による非弾性散乱の研究
- 11a-T-2 低速プロトンチャンネリングにおける臨界角の測定
- 3a-P-9 菊池バンドの白黒反転
- 3a-P-8 菊池像のエネルギー分析
- 1a-E-3 電子線のプラズモンによる多重散乱
- 9a-N-11 電子線回折によるDiffuse Streak Patternのエネルギー分析
- 8p-B-2 α-Cu-Al(111)表面の相転移の走査型LEED顕微鏡による観察II
- 31p-F-5 メタステーブル電子放射顕微鏡による固体表面の観測 : SiO_2/Si(100)のエネルギー選別像
- Cu/SiO_2における接触角振動の定量分析
- α-Cu-Al(111)表面の相転移の走査型LEED顕微鏡による観察 I
- 31p-PSB-79 Al_2O_3上の液体Alアイランドのぬれ角振動現象
- 31p-PSB-15 超高真空SEM-STM複合分析装置によるSi表面の観察
- 30a-PS-45 SEM-STM複合装置の開発
- 30a-PS-21 走査型LEED顕微鏡によるCu/Si(111)の観察
- 29p-PSB-20 SiO_2上の液体Cuアイランドのぬれ角振動現象II
- 31a-J-13 SiO_2上の液体Cuアイランドのぬれ角振動現象
- 5a-Q-1 アモルファスSiO_2上における単結晶金属細線の形成
- 29p-WC-1 SiO_2上におけるAlの単結晶化の動的観察
- 28p-WB-5 Si(001)微斜面上における4原子層ステップ形成のSTM観察
- 14p-DJ-12 Si(100)上におけるCu及びAgクラスターのマイグレーション
- 14p-DJ-2 Si(001)微斜面のSTM観察
- 13a-PS-45 超高真空表面分析用超小型熱電界放射電子銃の開発
- 13a-PS-22 Si(001)上のAg薄膜のSTM観察
- 13a-PS-12 Si(110)上の金属クラスターの温度勾配及び電場によるマイグレーション
- 1a-H-7 Si(100)における金属クラスターの温度勾配及び電場によるマイグレーション
- 1a-H-5 LEED-AESによるSi(100) : Mg吸着系の研究
- 30a-H-12 Si(001)上のAg(111)及びAg(001)の結晶成長のSTMによる観察
- 28a-S-4 TEMによるα-Ta_2O_5の相転移観察
- 26a-Y-6 LEED-AESによるSi(100)-Pb吸着系の研究 II
- 26a-Y-4 Si(001)上のAl薄膜の成長過程のSTM観察
- 25a-Y-10 Si(100)上金属アイランドの温度勾配によるマイグレーション
- 27a-ZB-8 TEMによるα-Ta_2O_5の相転移
- 30a-ZF-10 Si(001)の2原子層ステップのSTMによる観察
- 30a-ZF-7 Si上金属の初期成長過程のSTM観察
- 28a-ZS-13 SEMによる金属アイランドエレクトロマイグレーションの観察
- 27p-ZS-6 LEED-AESによるSi(100)-Pb吸着系の研究