酸化グラフェンの合成法による化学種の変化(有機ナノ材料・構造制御,デバイス応用,一般)
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概要
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印刷技術による高性能デバイスへの応用が期待されているグラフェン誘導体(酸化グラフェン)について、従来の化学的酸化法であるmodified Hummers法と新たに提案してきたソリューションプラズマ法を適用した際に生じる相違を検討するために化学種の違いに着目して検討を行った。動的レーザー散乱とドップラー電気泳動法の結果から平均粒径あたりのゼータ電位が合成法によって大きく異なることが明らかとなった。これは、合成時の酸化力の違いによって、ソリューションプラズマ法では-OH基の導入に留まるものの、modified Hummers法では-COOH基にまで酸化されることで解釈できる。また、FT-IRによって、-OH基の導入は確認されたが、残念ながら、-COOH基の導入は確認できなかった。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-06-27
著者
-
松田 直樹
独立行政法人産業技術総合研究所
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坂口 幸一
佐賀大学大学院 工学系研究科 循環物質化学専攻
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滝澤 登
佐賀大学大学院 工学系研究科 循環物質化学専攻
-
江良 正直
佐賀大学大学院 工学系研究科 循環物質化学専攻
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大竹 亜紗美
佐賀大学大学院工学系研究科
-
藤戸 昭徳
佐賀大学大学院工学系研究科
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内野 聖子
佐賀大学大学院工学系研究科
-
明渡 邦夫
株式会社豊田中央研究所
-
中島 達朗
独立行政法人産業技術総合研究所
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藤戸 昭徳
佐賀大学大学院
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滝澤 登
佐賀大学大学院
-
江良 正直
佐賀大学大学院
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坂口 幸一
佐賀大学大学院
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内野 聖子
佐賀大学大学院
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