窒素ドープ同位体制御化学気相成長で作製したダイヤモンドNVセンターサンプルの光学・スピン特性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
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概要
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ダイヤモンド中窒素空孔中心(NVセンター)の電子スピン状態は,量子情報技術や高感度ナノ磁場センシングへの応用が期待されており,応用上コヒーレンス時間の長いNVセンターを生成すること及び生成位置や生成密度を制御することが重要bである.コヒーレンス時間の長いNVセンターを基板表面付近に生成する手法として,窒素ドープ同位体制御化学気相成長法が有効である.本研究では,ライン&スペースの微細加工を施したダイヤモンド基板を用いることで,窒素ドープ同位体制御化学気相成長法においてNVセンターの平面内の生成位置や生成密度を制御することに成功した.自作の走査型レーザー共焦点顕微鏡を用いて,発光マッピング像および発光スペクトルを測定し,基板の溝部分に選択的にNVセンターを高密度に生成されることを見出した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-05-10
著者
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早瀬 潤子
慶應義塾大学
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伊藤 公平
慶應義塾大学理工学部
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鹿田 真一
産業技術総合研究所
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渡邊 幸志
産業技術総合研究所
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五味 朋寛
慶應義塾大学理工学部
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富澤 周平
慶應義塾大学理工学部
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梅澤 仁
産業技術総合研究所
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