1a-G4-5 延伸配向ポリチオフェン薄膜の吸収と発光の異方性(分子性結晶・液晶・有機半導体)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1988-03-31
著者
関連論文
- 2AD03 N^*-SmC^*相系列を有する強誘電性液晶の特異な層配列とその制御
- 28a-WF-9 カイラルスメクチック液晶の分子ダイナミクスと層配列
- 1B07 強誘電性液晶混合系における自発分極の符号反転
- 1B03 強誘電性液晶のDC電界によるスメクチック層の回転
- 1B02 カイラルスメクチック液晶のSmA、SmC^*相における電界誘起層回転
- 2C06 反強誘電性液晶の電界誘起相転移によるスメクチック層の回転
- 28p-YB-6 反強誘電性液晶におけるスメクチック層の回転
- 2F609 反強誘電性液晶における電界による層回転
- 4a-P-3 ポリフェニレンビニレンの電気的光学的性質
- 4a-P-2 ポリパラフェニレンの電気的光学的性質
- 30a-YX-8 アルカリ金属ドープ導電性高分子・C_複合体における超伝導特性の導電性高分子依存性
- 5a-D-2 ポリアセチレン誘導体の電子・光物性とESR特性
- 28p-D-13 導電性高分子-フラーレン複合体における超伝導特性のアルカリ金属ドーピング時間依存性
- アルカリ金属ドープ導電性高分子・フラーレン複合体の超伝導(III)
- 3a-C-12 アルカリ金属ドープ導電性高分子・フラーレン複合体の超伝導(II)
- 3C17 強誘電性液晶及び強誘電性液晶-導電性高分子液晶複合体の光学的性質と電気光学効果
- 5p-S-3 ポリアセチレン系導電性高分子液晶の電子・光物性
- 30a-G-1 ポリチオフェンの高圧力下での光吸収 II
- 5a-D-1 ポリアセチレン誘導体の蛍光・エレクトロルミネッセンスとその置換基依存性
- 28p-D-11 ポリ(1-アルキル-2アリルアセチレン)の電子・光物性及びEL発光特性
- 二置換型ポリアセチレン誘導体の電子・光物性とEL発光特性及びそのドーピング効果
- 10a-S-4 (SN)_x蒸着膜の電気的光学的性質II
- 6a-P-9 (SN)_xの抵抗極小と帯磁率
- 6p-R-3 (SN)_xの磁気抵抗効果及びホール効果
- 6p-R-2 (SN)_xの電気抵抗の温度依存性
- 6p-R-1 S_4N_4の電気的光学的性質
- 5a-R-10 (SN)_xの合成および電気的光学的性質
- 30a-C-6 キノリノールAl錯体 / ヂアミン誘導体を用いた量子井戸構造の作製と光学的特性
- 25a-K-3 ポリ(3-アルキルチオフェン)薄膜の電界発光と動特性
- 27p-M-11 側鎖置換導電性高分子の電子状態とEL発光
- 24p-Z-6 ポリ(3-アルキルチオフェン)ショットキーゲート型FETと電子状態に関する一考察
- 28a-J-4 フラーレン・導電性高分子系の電子・光物性
- 31a-WB-12 C_-導電性高分子複合体の電子・光物性
- 5a-S-6 ポリヘプタジエン系導電性高分子液晶の電子・光物性
- 5a-S-2 フラーレンドープ導電性高分子の光誘起電荷移動
- 5a-S-1 フラーレンドープ高分子の蛍光とEL
- 2A10 I-C_A^*相転移を示す反強誘電性液晶の誘電特性
- 30a-G-12 CVD炭素薄膜のESRと熱起電力の熱処理温度依存性
- 30a-G-7 ポリフルオレン誘導体の電子物性
- 5a-S-11 ポリアニリン誘導体のESRにおける強磁性的および反強磁性的振る舞い
- 4p-K-2 ポリ(3-アルキルチオフェン)のクロミズムと構造変化
- 3a-N-8 白金フタロシアニンのTriplet excitonの振舞い.III
- 3p KJ-10 液体ヘリウムの電気伝導と絶縁破壊 (III)
- 6a-AC-8 液体ヘリウムの電気伝導と絶縁破壊(II)
- 2a-CG-7 液体ヘリウムの電気伝導と絶縁破壊
- 導電性高分子液晶及びその強誘電性液晶との複合体の電気的光学的性質
- 3A04 強誘電性液晶-導電性高分子複合体の誘電的性質と電気光学効果
- 25a-K-1 導電性高分子におけるC_のドーピング効果
- 4a-P-6 ポリチオフェン膜を用いた光化学電池
- 4a-YA-3 導電性高分子の熱起電力
- 2a-KD-2 導電性高分子の電気的光学的性質に及ぼす放射線照射効果
- 12a-Q-7 ポリアセチレン及びドープされたポリアセチレンの電子線照射効果(電気伝導及びESR)
- 30a-G-10 ポリアセチレンの電気的性質に及ぼす電子線照射の影響 II
- 30a-G-2 ポリアセチレンのルミネッセンスとその温度依存性
- 3A03 強誘電性液晶を用いた光導波路制御素子の動作解析
- 2a-YX-1 セルフアセンブリ法による導電性高分子多層ヘテロ構造における光誘起電荷分離と光伝導特性
- 8a-YA-5 ディスコティック液晶の電荷輸送特性
- 5a-D-5 分子セルフアセンブリ法による導電性高分子ヘテロ構造の電子・光物性と光誘起電荷分離
- セルフアセンブリ法による導電性高分子ヘテロ構造素子の作製と電子、光物性に関する研究
- 3a-C-11 ポリフェニレン系ブロックコポリマーの電子・光物性
- 3a-C-10 ポリ(フェニレンエチニレン)系導電性高分子の電子・光物性
- 28a-J-1 アモルファスフォトクロミック色素の光異性化量子効率
- 27a-J-1 強磁性ポリアニリン誘導体の電気的、光学的、磁気的性質
- 28a-M-1 ポリナフタレンビニレンの電子状態と温度依存性
- 2p-J-7 (SN)_x及び(SN)_x-金属界面の物性
- 31p-K-12 (SN)_xの磁気抵抗効果と電子状態
- 3a-G-5 (SN)_x及びdoped(SN)_xの電気的性質
- 29p-D-10 Intercalated (SN)_xの電気的性質
- 2a-N-7 S_4N_4 および (SN)_x のコンプトンプロフィル
- 4a-P-7 ヨウ素をドープしたポリチオフェンのESRと放射化分析
- 4a-P-1 導電性高分子の光電導と光起電力
- 4a-YA-9 ポリチオフェンの微量ヨウソドーピングと電気伝導度
- 4a-YA-6 ポリチオフェンの光誘起吸収
- 4a-YA-5 ポリセレノフェンの電気的光学的性質II
- 4a-YA-4 電気化学的に合成した導電性高分子のESR
- 6p-R-2 スメクティック液晶相転移における磁場効果(III)
- 5p-R-4 フタロシアニン中の励起子
- 5a-R-6 三重項励起子間相互作用の磁場依存性
- 4a-E-10 2光子吸収による螢光および光電流
- 28p-D-12 ドナー・アクセプター型導電性高分子複合系の電子・光物性
- 3K118 強誘電性液晶を用いた混成型光双安定
- 3K117 強誘電性液晶を用いた高分子光導波路高速スイッチング素子
- 2A19 強誘電性液晶の非線形光学効果の電界効果
- 2A12 ヘリカルピッチの短い強誘電性液晶の誘電的光学的性質
- 3C16 強誘電性混合液晶の自発分極の符号反転と電気的光学的性質
- 3C13 高分子強誘電性液晶の分極反転と光散乱
- 1F606 強誘電性混合液晶の自発分極の極性反転
- 3p-S4-10 延伸配向ポリチオフェン薄膜の光誘起吸収の異方性
- 27a-J-6 ポリチオフェンにおける励起子の振舞い
- 30a-QA-2 ポリチオフェンのドープ状態における光誘起吸収
- 30a-QA-1 導電性高分子の電流磁気効果、II
- 4a-P-5 導電性高分子薄膜の電気化学的ドープ・脱ドープ特性
- 4a-P-4 導電性高分子と用いたヘテロ接合の整流特性
- 4a-YA-8 ボリチオフェンのスピン帯磁率
- 4a-YA-7 ポリチオフェンの磁気共鳴II
- 29a-WB-1 アザイド熱分解によるアルカリ金属(Li、Na)ドープC60の超伝導
- 5a-S-3 フラーレン-導電性高分子接合素子の特性と光照射効果
- 28a-YK-6 アザイドから作製したフラーレン化合物の超伝導 : ESRとアニーリング効果
- 2a-KD-3 導電性高分子のフォトルミネッセンス;温度,ドーピング効果
- 5a-YA-9 強誘電性液晶自己保持膜の密集環状組織