バースト毎の省電力化機能を備えた10G-EPON用バーストモードレーザーダイオードドライバIC(エナジーハーベスティング・電源・ドライバ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
バースト毎に省電力化する10G-EPON用バーストモード対応レーザーダイオードドライバICの性能評価結果を報告する。省電力機能を備えたゲート回路の出力ドライバ前段配置と、電流源回路の遮断スイッチの搭載により、レーザー消光時の消費電力を通常発光時に比較して90%以上削減し、省電力状態から通常動作状態への復帰時間を16ns以内で達成した。IEEE標準規格で定義されている送信許可信号によりバースト動作と省電力動作の両方を制御することで追加の制御信号や特別な制御プロトコルを不要とし、バースト毎の省電力化を実現した。
- 2012-07-26
著者
-
大友 祐輔
日本電信電話(株) NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
小泉 弘
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
富樫 稔
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
野河 正史
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
野河 正史
日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所
-
富樫 稔
日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所
-
野河 正史
日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所
-
小泉 弘
日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所
-
富樫 稔
日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所
関連論文
- B-10-51 10.3Gbit/sバーストモードクロックデータ再生装置(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- 高速アクセス用10Gbit/s CMOSバーストモードクロックデータ再生IC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- B-10-43 1G/10G-EPON用バースト対応トランスインピーダンスアンプ(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- C-12-55 4ch×10Gb/sパラレル位相同期アーキテクチャと位相調整回路(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-45 バーストLD駆動ICにおける効率化の検討(有線通信(1),C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-44 バースト信号用CDR向け入力パルス幅歪補正回路(有線通信(1),C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-43 2段アクティブフィードバックAOCを用いた10-Gb/sバースト信号対応リミッティングアンプ(有線通信(1),C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-50 可変遅延回路のバラクタ数、および接続段数に関する考察(C-12. 集積回路C(ワイヤライン),一般セッション)
- C-12-35 10Gb/sバーストCDR回路のカスケードVCOを用いた低ジッタ化(発振器,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-3-65 1G-10GデュアルレートOLT光トランシーバ用リセット型バーストAPD-ROSA(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-12-10 160ビット連続同符号耐性を有する10.3125Gb/sバーストモードCDR回路(C-12. 集積回路BC(クロック・発振器),一般セッション)
- 0.25-μmCMOS/SIMOXを用いた40-Gb/s8×8ATMスイッチLSI
- 0.25-μmCMOS/SIMOXを用いた40-Gb/s8×8ATMスイッチLSI
- B-10-34 1G/10G PONに対応した1:16 DEMUX付き10GバーストCDR回路(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- ジッタ耐性に優れたパラレル型CDRを用いた12.5 Gbit/s CMOS BERT LSI
- C-12-9 FD-SOI プロセスにおける BGR 回路の設計
- 疑似差動インパルス伝送による低電力高速CMOSインタフェース回路
- CMOS/SIMOXを用いた2.6Gbps APU (Active Pull-Up)インタフェース回路
- CMOS/SIMOXを用いた2.6Gbps/pin APU(Activepull-up)インタフェース回路
- アクティブプルアップ(APU)を用いた高速CMOSインタフェース回路
- 低電力、高速インパルス伝送型CMOSインタフェース回路
- 低電力、高速インパルス伝送型CMOSインタフェース回路
- 704MHz,BiCMoS,ATMスイッチLSI
- C-3-90 V溝を一体化した樹脂製凹面マイクロミラー合分波器(3) : モジュール構造(パッシブデバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-89 V溝を一体化した樹脂製凹面マイクロミラー合分波器(2) : 光学系(パッシブデバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-88 V溝を一体化した樹脂製凹面マイクロミラー合分波器(1) : 構成概要(パッシブデバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 0.13μm CMOSを用いた10Gb/sバースト対応CDR IC(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- 高速アクセス用10Gbit/s CMOSバーストモードクロックデータ再生IC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- B-10-91 10Gbit/sバーストモードクロックデータ再生装置(B-10. 光通信システムB(光通信), 通信2)
- C-12-10 リファレンスクロック不要の CDR 回路
- 16.3-GHzCMOS分周器
- 16.3-GHz CMOS分周器
- 16.3-GHz CMOS分周器
- C-12-18 16.3-GHz 64:1 CMOS分周器
- 低電圧電源時における両相形DFFのノイズ耐性
- GHzインタフェ-ス回路技術 (特集論文 GHzインタフェ-ス付CMOS/SIMOX技術)
- LVTTLコンパチブルCMOS/SIMOX出力回路
- LVTTLコンパチブルサブクォーターミクロンCMOS出力バッファ回路
- CMOS小振幅I/O消費電力の周波数依存性
- インパルス伝送型低電力高速 CMOS インターフェース回路
- C-12-29 CMOSを用いたパルス幅が安定な短パルス発生回路(近距離無線通信回路,C-12.集積回路,一般セッション)
- 招待講演 バースト毎の省電力化機能を備えた10G-EPON用バーストモードレーザーダイオードドライバIC (シリコン材料・デバイス)
- C-12-28 バースト毎の省電力機能を搭載した10G-EPON用LDドライバIC(C-12.集積回路,一般セッション)
- 招待講演 バースト毎の省電力化機能を備えた10G-EPON用バーストモードレーザーダイオードドライバIC (集積回路)
- C-12-4 10GbpsバーストCDR回路のVCO間周波数ミスマッチ補償(高速通信用IC,C-12. 集積回路,一般セッション)
- バースト毎の省電力化機能を備えた10G-EPON用バーストモードレーザーダイオードドライバIC(エナジーハーベスティング・電源・ドライバ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- バースト毎の省電力化機能を備えた10G-EPON用バーストモードレーザーダイオードドライバIC(エナジーハーベスティング・電源・ドライバ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 10G-EPON用光モジュール(BOSA、トライプレクサ)の小型・低コスト化技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 10G-EPON用光モジュール(BOSA、トライプレクサ)の小型・低コスト化技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 10G-EPON用光モジュール(BOSA、トライプレクサ)の小型・低コスト化技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- C-12-19 ミリ波帯オンチップ伝送線路における下層シールドの影響(C-12.集積回路)
- C-12-17 ミリ波回路におけるボンディングワイヤ寄生インダクタンスをキャンセルする電源線の設計(C-12.集積回路)
- CT-2-4 省電力化バーストモードレーザーダイオードドライバ(CT-2.省エネルギー化のためのLSIと給電技術-Green by ITとGreen of IT-,ソサイエティ企画)
- C-12-5 25Gbit/s動作に向けたプリエンファシス機能付き65nm-CMOS出力バッファ回路の検討(アナログ回路,C-12.集積回路,一般セッション)
- 10G-EPON用光モジュール(BOSA、トライプレクサ)の小型・低コスト化技術
- 10G-EPON用光モジュール(BOSA、トライプレクサ)の小型・低コスト化技術
- C-12-22 6.7mW, 8.8dB, 60GHz帯CMOSアンプの設計(ミリ波集積回路,C-12.集積回路,一般セッション)