密着層転写技術を用いた微細平滑配線技術(<特集>高密度実装を牽引する材料技術とヘテロインテグレーション論文)

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概要

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• 高集積化が進むLSIを搭載するパッケージ基板の微細平滑配線の形成を目的に,平滑な絶縁膜表面への密着付与技術として,支持体としての銅はく表面に形成した密着層を転写する技術を開発した.この技術では,絶縁膜表面に転写したサブミクロンオーダの微小な表面粗さとクロム化合物が配線への密着性に寄与している.これにより,表面粗さ(Rz)が1μm以下でも,初期で10 N/cm,リフロー後でも8N/cmのピール強度が得られる.また,密着層のクロム化合物に加え絶縁膜表面のカルボキシル基が密着力に影響を与えることを明らかにした.更に,この技術を用いて平滑絶縁膜上にL/S=10μm/10μmの微細配線が形成できることを確認した.この平滑配線形成技術は,今後のLSIパッケージ基板の高密度化だけでなく,高周波伝送における損失の低減にも有効であると考えている.

• 2012-11-01

著者

• 上西 啓介

  大阪大学

• 谷 元昭

  (株)富士通研究所

• 佐々木 伸也

  (株)富士通研究所

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