強相関電子系分子性導体のモット-アンダーソン転移(最近の研究から)
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概要
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分子性導体にエックス線照射を行うと,結晶内部に分子欠陥が生成され伝導電子系に対する乱れを導入することができる.最近,バンド幅制御型金属-モット絶縁体転移の舞台となるダイマーモット型分子性導体κ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Y(Y=Br,Cl)にエックス線を照射すると,それぞれ超伝導/金属またはモット絶縁体から乱れによる絶縁体状態-アンダーソン局在による絶縁体化-が生じることを見出した.モット転移近傍の分子性導体において電子相関と乱れが協奏して現れるモット-アンダーソン転移について紹介する.
- 2012-07-05
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