レーザ励起による準静電界を用いた故障解析手法(LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,及び信頼性一般)
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概要
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電界は放射電界(Radiation Field)と誘導電界(Induction Field)、それと準静電界:Quasi-Electrostatic Field)に大きく分けられ我々は準静電界に注目した。これは発生源を含む誘電体や導体の近傍だけに存在する性質を有し、最近では生体通信や個人認証技術への応用研究が進められている。この準静電界の特性を利用して、様々な試料に対しレーザビーム光を照射して、そのエネルギーにより生じる僅かな準静電界の変化を、今回新しく開発したセンサを用いる事により、従来検出が難しいとされていた、絶縁体中の金属微粒子の検出に成功した。この報告では準静電界の検出原理の解説とシリコン片にレーザ光を照射し発生する電荷の移動メカニズムについて考察する。そして、解析事例として準静電界センシング技術を用いた金属微粒子の検出結果ついてまとめを行い、同手法の材料評価や半導体デバイス故障解析への可能性について述べる。
- 2011-05-06
著者
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