25aHA-9 高密度光励起半導体GaNのTHz時間領域分光(25aHA 顕微・近接場分光/高密度励起現象,領域5(光物性))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2011-03-03
著者
-
田中 耕一郎
京大院理
-
永井 正也
京大院理
-
田中 耕一郎
京都大
-
田中 耕一郎
京都大学大学院理学研究科
-
谷 峻太郎
京大院理
-
Blanchard Francois
CREST JST
-
谷 峻太郎
京大院理:crest Jst
-
Blanchard Francois
Crest Jst:京大icems
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