OS0408 分子動力学法によるSi/GaAs界面エネルギーの評価(原子スケールモデリングとナノ・マイクロ実験力学(1))
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概要
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Si,GaAs単相,及びSiとGaAsを1格子ずつ接合したSi/GaAsモデルを作成し,全方向周期境界条件の下,セルを等方的に拡大収縮させたときの系のエネルギー変化を第一原理計算ならびに原子間ポテンシャルにより評価した.Si,GaAsのTersoff型ポテンシャルの組み合わせにおいて,エネルギー極小点ならびにその近傍でのエネルギー勾配が第一原理計算の結果とほぼ一致するようなポテンシャルパラメータの組み合わせを見出した.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2008-09-16
著者
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