SiC表面分解法によるグラフェンの透過型電子顕微鏡観察(<特集>グラフェンの成長と応用)
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概要
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SiC表面分解法により得たグラフェンの結晶学的特徴および成長メカニズムを,高分解能透過型電子顕微鏡観察により明らかにした.SiC上グラフェンは,ABC積層を有していることが明らかとなり,本方法により電場誘起電子状態制御の可能性が示唆される.また,グラフェンはSiCのステップ近傍で核生成し,その後テラス上へと水平成長することがわかった.
著者
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楠 美智子
名大エコ研
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乗松 航
名古屋大学エコトピア科学研究所
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楠 美智子
ファインセラミックスセンター
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乗松 航
名古屋大学・エコトピア科学研究所
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楠 美智子
名古屋大学・エコトピア科学研究所
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乗松 航
名古屋大学
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