Ga_xIn_<1-x>As多結晶薄膜の電気的光学的特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

概要

論文の詳細を見る
分子線蒸着法によりガラス基板上に基板温度240℃及び350℃でGa組成x=0〜1のGa_xIn_<1-x>As多結晶を約1μm成長させた.100〜390Kでのホール効果測定の結果,電子濃度は,x≦0.30の試料では測定温度にほとんど依存しなかったが,x≧0.36の試料では測定温度の低下とともに減少した.電子移動度も,Ga組成x≦0.21の試料では測定温度にほとんど依存しなかったが,x≧0.3の試料では測定温度の低下とともに減少した.電子濃度の温度依存性は2種類のドナー準位が存在するとして説明され,電子移動度の温度依存性は粒界障壁をこえる熱電子放出によって説明される.また,透過スペクトルを測定し,吸収係数と光学的バンドギャップを求めた.x≦0.44の試料に対してはBurstein-Mossシフトを考慮し,x≦0.30の試料に対しては粒界障壁による量子閉じ込め効果を考慮することにより,光学的バンドギャップのGa組成依存性が説明できた.
社団法人電子情報通信学会の論文
2009-11-12