トランジスタの実験
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概要
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簡単なバイアス回路のトランジスタ増幅回路で電流増幅度の周波数依存性を調べる学生実験を工夫した.オッシロスコープの性能,測定技術,発振器の最高周波数,トランジスタの安定性などから200kHz以下で実験が完了することが望ましい.そのためには,シリコントランジスタは不適で,低周波用ゲルマニウムトランジスタで電流増幅率60〜100のものが適している.2 SB 171(B)を用いた場合,増幅度が3dB下がる周波数は8.5kHzで,この時等価回路で計算されるように入力と出力の位相差はほぼ45°であった.
- 日本物理教育学会の論文
- 1976-03-05
著者
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