PLZTの光透過率メモリスイッチの基礎的検討(物性,一般)
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概要
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PLZTは優れた電気光学効果を有する強誘電体である。この特性を利用して、光スイッチ、光スキャナ、光シャッタへ応用されている。しかしながら、従来では、PLZTはある光学特性値を維持し続けるために電圧をかけ続ける必要があった。そこで本研究では、非対称電圧駆動によるドメイン制御により、印加電圧0でPLZTの透過率に二つの安定した値を有するメモリ効果を与えることを試みた。本報告では、光透過率メモリ効果のデバイス化に向けた基礎的検討を行った。
- 2009-10-15
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