導体と誘電体の界面における導電率の周波数依存性の測定(<特集>次世代電子機器における先端実装技術と電磁波ノイズ低減技術論文)
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概要
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本論文では,ミリ波帯における誘電体基板と導体との境界における導電率,界面導電率の測定法として空洞共振器法を提案する.本測定法では,空洞共振器の端面の位置に,誘電体基板の内層に導体が形成された試料,若しくは片面に導体を形成した試料を配置した共振器により界面の表面抵抗を測定し,計算により界面導電率を求める.本測定法とマイクロ波帯の界面導電率測定法を併用して,4GHzから60GHzまでの周波数領域においてセラミックス/メタライズ及び有機基板/銅はくの界面導電率の測定を行った.この結果,同一の導体材料でも界面の粗さにより,界面導電率の値が異なることが分かった.また,界面導電率の周波数依存性は,導体材料の種類や界面の粗さの影響を受けることが分かった.測定結果より,誘電体の厚みを0.2mmにしたセラミックス試料に対する本測定法による界面導電率の測定精度は60GHzにおいて10%程度である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
小林 禧夫
埼玉大学
-
小林 禧夫
埼玉大学地域共同研究センター
-
中山 明
京セラ(株)
-
中山 明
京セラ株式会社 総合研究所
-
吉川 博道
京セラ株式会社
-
中山 明
京セラ株式会社
-
小林 禧夫
埼玉大学地域オープンイノベーションセンター
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