Partial Gap of SDW in Ce (Ru_<1-x>Rh_x)_2Si_2
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概要
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We measured the resistivities of the heavy fermion SDW Ce (Ru_<1-x>Rh_x)_2Si_2 (0.05≤x≤0.33) in a magnetic field up to 4 T. The resistivities of Ce (Ru_<1-x>Rh_x)_2Si_2 (0.05≤x≤0.33) showed hump-type anomalies at T_N, indicating a gap opening on the Fermi surface due to the Fermi surface nesting. T_<NS> shift to a lower temperature and disappear with incresing magnetic field. We evaluated the ratio of the gapped part σ_<2p>/σ_p on the Fermi surface and the gap parameter Δ/K_B T_N of the SDW to be 0.47 and 1.1 for Ce (Ru_<1-x>Rh_x)_2Si_2 (x=0.15), respectively. They are almost independent of the magnetic field, however they decrease as x deviate from 0.15.
- 2009-03-01
著者
-
Nakano Tomohito
Department of Physics, Kyushu University
-
Murayama Shigeyuki
Muroran Institute of Technology
-
Oomi Gendo
Department of Physics, Kyushu University
-
中野 智仁
新大工
-
Nakano Tomohito
Department Of Physics Kyushu University:muroran Institute Of Technology
-
Nakano Tomohito
Department Of Materials Science And Engineering Muroran Institute Of Technology
-
Oomi Gendo
Department Of Mechanical Engineering And Materials Science Faculty Of Engineering Kumamoto Universit
-
Nakano Tomohito
Department Of Information Science Gifu University
-
Nakano Tomohito
Department of Applied Physics, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555
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