光変換ポリタイプを用いたワイドバンドギャップ半導体デバイスの開発
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概要
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Femtosecond laser-induced structural transformations in wide band-gap semiconductors werestudied for the development of the fabrication technique for three-dimensional electroniccircuits. In particular, we will report the results on the femtosecond laser-induced periodicstructures produced on wide band-gap materials. We also investigated the material properties oflaser-irradiated spot by using confocal micro Raman spectroscopy and transmission electronmicroscopy. We will discuss the effect of femtosecond laser-irradiation on wide band-gapsemiconductors.
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