Investigation of EL6 Deep Level in Semi-Insulating GaAs by Means of a Temperature Dependence of Piezoelectric Photothermal Signal
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 2002-05-30
著者
-
佐藤 進
秋田県産業技術総合研究センター 高度技術研究所
-
佐藤 進
秋大
-
Ikari T
Miyazaki Univ. Miyazaki Jpn
-
Ikari Tetsuo
Department Of Electronic Engineering Miyazaki University
-
Ikari Tetsuo
Faculty Of Engineering Miyazaki University
-
Ikari Tetsuo
Department Of Electrical And Electronic Engineering University Of Miyazaki
-
Ikari Tetsuo
Faculty Of Engineering University Of Miyazaki
-
ITO Atsushi
Faculty of Science and Technology, Science University of Tokyo
-
Tada Susumu
Faculty Of Engineering Miyazaki University
-
SATO Shoichiro
Faculty of Engineering, Miyazaki University
-
FUKUYAMA Atsuhiko
Faculty of Engineering, Miyazaki University
-
Fukuyama A
Miyazaki Univ. Miyazaki Jpn
-
Fukuyama Atsuhiko
Faculty Of Engineering Miyazaki University
-
Ito Atsushi
Faculty Of Engineering Miyazaki University
-
Fukuyama Atsuhiko
Faculity of Engineering, University of Miyazaki, Miyazaki 889-2192, Japan
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