3.マイクロ波増幅器の高効率化・低ひずみ化(<小特集>ブロードバンド無線通信を支えるマイクロ波ミリ波技術)
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概要
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マイクロ波増幅器の高効率化・低ひずみ化を実現するためのポイントを,半導体材料・デバイス,回路技術の視点で解説した.半導体デバイスとしては高電圧動作が可能なGaNは回路損を誘発しにくく高効率化に有利であることを述べた.また高効率な増幅器を実現するためにはトランジスタ出力端子の瞬時電流波形と瞬時電圧波形を制御することが重要であり,このために時間領域からのアプローチと周波数領域からのアプローチの二つがあることを解説している.更に,高調波・分数調波を制御することは増幅器の高効率化,低ひずみ化にとって重要であることを述べた.
- 2007-04-01