Co/Al_2O_3/Fe_3O_4積層膜の磁気抵抗効果
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概要
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The magnetoresistance of the spin tunneling junction of Co/Al_2O_3/Fe_3O_4 laminated films has been studied using polycrystal Fe_3O_4 films. An Fe_3O_4 film of base substrates was prepared by the low-temperature solid-phase reaction of a Fe thin film produced by vacuum evaporation. Although the magnetic resistance ratio of the Fe_3O_4 film of the cloth was 1% or less, in the Co/Al_2O_3/Fe_3O_4 laminated film, a maximum value of about 5.3% was obtained. The base substrate material in the solid-phase reaction produced the interval from 5K/min to 30K/min with respect to the rising gradient of the firing temperature.
- 東海大学の論文
- 2005-09-30
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