移動体通信用パワー半導体モジュールの放熱設計 : モジュール熱抵抗の解析的予測(熱工学,内燃機関,動力など)
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概要
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We will describe the thermal performance of power semiconductor module, which consists of heterojunction bipolar transistors (HBTs), for mobile communication systems. We calculate the thermal resistance between the HBT fingers and the bottom surface of a multi-layer circuit board using a finite element method (FEM). We applied both steady state and transient analyses to determine the power module structure suitable for cell phones. We found that the thermal performance in periodic heating condition should be considered to reduce the number of module components and the production cost, even if the thermal resistance of the module was the most important design parameter for the module structure.
- 2005-08-25
著者
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中里 典生
株式会社日立製作所 機械研究所
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大曽根 靖夫
(株)日立製作所機械研究所
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中里 典生
(株)日立製作所 機械研究所
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梅本 康成
(株)ルネサステクノロジ第二事業本部
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根岸 幹夫
(株)ルネサス東日本セミコンダクタテ長野デバイス本部
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