オゾン酸化によるCVD-SiO_2膜の高密度化
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概要
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オゾン処理されたCVD-SiO_2膜の深さ方向密度分布のベース膜厚依存性を,高輝度放射光利用X線反射率測定により明らかにした。オゾン処理されたCVD-SiO_2膜には,表面と界面に高密度層が形成される。表面高密度層は,オゾンの分解により生成したOラジカルによりSi-Oネットワークが再構成され,高密度化したものである。界面高密度層は,Oラジカルが,低密度なCVD-SiO_2膜中を拡散し,SiO_2/Si界面に到達し,Si基板をラジカル酸化したものである。表面高密度層と界面高密度層の厚さは,少なくとも17nmまではベース膜厚に依存しない。CVD-SiO_2膜中でのOラジカルの拡散長は,直接オゾン酸化膜中での拡散長と比較して極めて長く,直接オゾン酸化膜よりも厚い,高密度酸化膜を形成できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
著者
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上原 康
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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上原 康
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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河瀬 和雅
三菱電機 先端総研
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野田 清治
三菱電機 先端総研
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中井 隆文
三菱電機 先端総研
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上原 康
三菱電機 先端総研
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